NANDFlash大廠三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產出持續大幅增加下，10月上旬NANDFlash合約價再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%，低容量芯片價格則是幾乎持平，市場預期日前平板計算機和智能型手機(SmartPhone)都內建高容量的NANDFlash存儲器，在年底圣誕節最后一波促銷熱潮之下，有機會提升NANDFlash市場的需求，彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。

    三星和東芝2大NANDFlash供應商市占率都超過30%，由于市占率接近，因此制程競賽和產能擴充都火拼的相當激烈，在2010年32納米制程量產后，接著都要轉進20納米制程世代，持續降低成本，以抵抗2010年跌跌不休的NANDFlash價格。

    下游客戶透露，目前NANDFlash價格已相當接近上游制造廠的成本區，因此各廠再殺低的意愿也不高，因為一不小心可能又陷入虧損的窘境，這是許多存儲器大廠所不樂見的情況，也因此，有些NANDFlash大廠已開始放慢增產的速度，免得接下來進入傳統淡季后，產出增加又造成價格續跌的負擔。

    以10月上旬合約價來看，高容量64Gb芯片跌幅最深，高達5~7%，平均成交價約10美元，部分低價交易已來到8美元水平；32Gb容量芯片則小幅下跌1~2%；而在低容量芯片方面，包括8Gb和16Gb，合約價格幾乎是持平。

    下游業者認為，2010年的NANDFlash市場都是靠平板計算機、智能型手機等內嵌式存儲器撐起一片天，尤其平板計算機的熱潮仍在，預計在2010年耶誕假期之前，會有一波智能型手機和平板計算機的需求加溫，屆時可帶動NANDFlash補貨熱潮竄出。

    由于目前NANDFlash價格接近上游大廠成本線，加上快閃記憶卡、隨身碟都賣相不佳，縱使有平板計算機和智能型手機應用的加持，在進入12月傳統淡季后，這些題材都會淡化掉，因此NANDFlash大廠也會擔心產業供需嚴重失衡，已開始在考慮放緩新產能的投片速度，此舉有助于產業供需導向平衡。

    三星和東芝2011年都會進入20納米制程世代，且增加X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片產出量，預計在制程競賽上是不會松懈，尤其又有美光(Micron)和英特爾(Intel)陣營技術跑在前面，三星和東芝或許會放緩新產能的投片速度，但制程演進腳步是不會休息的。