在顯示技術的激烈競爭中,MicroLED 技術憑借其卓越的性能,如高亮度、高對比度、高刷新率、長壽命和低功耗等,被公認為 “下一代顯示技術” 的有力競爭者,在巨幕電視、商用顯顯、車載顯示、AR眼鏡等諸多領域展現出廣泛應用前景。近期,邁為股份、溢彩芯光、賽富樂斯、欣奕華智、JBD上海顯耀、京東方、兆馳半導體、鐳昱光電等8企透露MicroLED 在專利技術、芯片、封裝、工藝制造、巨量轉移裝備等方面取得顯著進展。
邁為股份成功交付Micro LED MIP 轉移段成套解決方案,助推Micro LED產業化進程
近日,邁為股份自主研發的Micro LED MIP轉移段成套解決方案成功交付顯示領域客戶,為其提供兼具量產效益及產品優勢的先進裝備與技術方案。
MIP(Mini/Micro LED in Package)是一種芯片級封裝技術,通過巨量轉移技術將剝離襯底的 Micro LED三色發光芯片固定在載板上,經封裝、切割、檢測及混光后形成獨立器件,可以降低微間距LED顯示器的制造成本并提升產量。
邁為股份自主開發的Micro LED MIP轉移段成套解決方案集成了激光剝離 (LLO)、激光巨量轉移(LMT)、激光切割等設備,覆蓋MIP工藝中Micro LED芯片從外延層襯底剝離到巨量轉移、精準切割與分離的全制程。其中,芯片轉移環節采用的激光巨量轉移設備,在實現數十萬甚至上百萬微米級的Micro LED晶粒精準且高效轉移的同時,兼具智能化單顆回補功能,可顯著提升MIP工藝流程的生產效率,降低單位制造成本,有力保障客戶端Micro LED產品的良率、效率與品質。
此次方案的交付,也標志著公司在MIP封裝領域取得重要突破,進一步提升了其Micro LED核心制程設備的市占率。
1.5μm 精度領航!欣奕華智首臺 Micro LED 激光巨量轉移設備震撼交付
6 月 13 日,合肥欣奕華智能機器股份有限公司(以下簡稱 “欣奕華智”)宣布,其首臺 Micro LED 激光巨量轉移設備正式下線交付客戶。欣奕華智此次交付的 Micro LED 激光巨量轉移設備,采用了多項自主研發的核心技術,具備多項行業領先優勢。
設備搭載超高精度運動平臺,可實現精密自動對位和芯片高效巨量轉移,芯片轉移綜合精度控制在 1.5μm 以內,確保了芯片轉移的準確性和穩定性。同時,自主設計的光路系統,實現了光斑高均勻性和穩定性,為芯片轉移提供了可靠的光學保障。此外,設備還具備晶圓姿態檢測及校正功能、光斑位置自校正功能,進一步提升了設備穩定性和生產效率。
在兼容性方面,該設備最大支持 G2.5 代(370mmX470mm)基板,可滿足不同客戶的多樣化需求。搭配欣奕華智自研的 Micro LED 準分子激光剝離設備、DPSS 固體激光剝離設備,能夠為客戶提供一站式的 Micro LED 制程解決方案,助力客戶降低生產成本,提高生產效率。
此次首臺 Micro LED 激光巨量轉移設備的交付,不僅彰顯了欣奕華智自成立以來在新型顯示領域不斷積累的技術研發和創新實力,更為公司未來發展奠定了堅實基礎。
國內首款鈣鈦礦量子點全彩 Micro LED 芯片今秋量產
近日,溢彩芯光科技(寧波)有限公司傳來喜訊,其成功研發的國內首款鈣鈦礦量子點全彩微米級發光二極管(Micro LED)芯片,將于今年秋天實現批量供貨。這款突破性的芯片,將率先應用于國產 AR 眼鏡,為解決行業痛點、提升產品性能提供強大的 “中國芯” 支撐。
據溢彩芯光科技(寧波)有限公司創始人、總經理李飛介紹,這款芯片好比AR眼鏡的‘翻譯官’,負責把接收到的數字信號精準轉化為光電信號。相比傳統方案,該芯片不含重金屬鎘,更環保、成本更低。同時,轉光層厚度更薄,提高出光效率,進一步降低了功耗。
科研團隊用了2年時間,攻克AR眼鏡室外看不清、耗電快等痛點,比如在陽光明媚的室外,該芯片能以更高出光效率,讓AR眼鏡呈現更亮的圖像,清晰適配人眼觀賞需求。同時,芯片功耗降至500毫瓦以內,發熱大幅減少。
經過嚴苛的高溫高濕加速老化實驗,這款甬產芯片壽命突破500小時,相當于支持AR眼鏡實際運行3萬小時。目前,該芯片主攻AR眼鏡市場。未來,車載AR-HUD(增強現實平視顯示系統)、智能矩陣車燈、口袋投影儀等領域,都是其應用舞臺。
賽富樂斯發布0.13 英寸單片全彩MicroLED 微顯示屏
近日,量子點 Micro LED 產品及解決方案提供商賽富樂斯(Saphlux LLC)正式推出 T3 系列 0.13 英寸單片全彩 MicroLED 微顯示屏,為新一代增強現實(AR)眼鏡帶來更豐富的顯示內容與更高效的信息提示體驗。
JBD成功將MicroLED微顯示的壞點數從單屏≤100個降至≤3個,JBD ARTCs畫質引擎商用落地
壞點與暗點的數量一直是衡量MicroLED微顯示產品可靠性和技術成熟度的關鍵指標。此前,受限于技術水平和生產工藝,行業內普遍面臨單屏壞點數量接近100個的技術瓶頸,這在一定程度上阻礙了消費級AR終端的普及應用。為了打破這一技術制約,JBD近年來持續深入MicroLED微顯示核心技術研究,將微顯示屏的壞點數降至單屏≤3個,其中0壞點完美屏的比例大幅提升。
不止于此,暗點同樣是MicroLED微顯示領域長期被忽視的技術挑戰,它直接影響畫面均勻性與成像質量。通過技術升級,JBD將單屏暗點率從高達0.4%降至0.03%的極低水平,再結合JBD獨有的Demura像素亮度補償算法,大幅度提高像素亮度均勻性。
壞點與暗點對顯示質量和用戶體驗有著較大的影響,死點會在圖像中形成明顯的黑色斑點,破壞畫面的完整性和細節表現;暗點則會使圖像出現灰暗瑕疵,影響色彩準確性和畫面均勻性。在高對比度或明亮場景中,這些缺陷尤為顯眼,容易分散用戶注意力,降低視覺沉浸感。減少壞點和暗點,可以有效避免圖像殘缺、顏色暗淡失真等問題,顯著提升畫面的完整性和均勻性,在提升AR近眼顯示場景的視覺質量方面起著至關重要的作用。
另外,JBD近期宣布其自主研發的AR光波導眼鏡系統級畫質引擎—ARTCs,已深度應用于雷鳥創新(RayNeo)旗艦產品"雷鳥X3 Pro"中,為全彩MicroLED光波導AR眼鏡帶來煥然一新的視覺體驗。ARTCs畫質引擎的核心設備ARTCs-WG已成功在雷鳥創新產線落地,全面支持AR眼鏡規模化量產。
JBD業內首個AR光波導畫質校正方案ARTCs及配套的量產設備ARTCs-WG系統通過光引擎側處理和專有畫質算法,將MicroLED光波導AR眼鏡的全局亮度均勻性從"<40%"提升至">80%",色差ΔE從">0.1"降低至"~0.02",有效消除了色彩失真與顆粒感,顯著改善光波導的顯示品質。
京東方、兆馳半導體、鐳昱光電MicroLED專利
江西兆馳半導體有限公司取得一項名為“Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED”的專利,授權公告號CN119364943B。該發明公開了一種Micro-LED外延片及其制備方法、涉及半導體光電器件領域。其中,Micro-LED外延片依次包括襯底、緩沖層、第一翹曲調控層、非摻雜GaN層、第二翹曲調控層、N型GaN層、第三翹曲調控層、多量子阱層和P型GaN層;
所述第一翹曲調控層為三維GaN層,所述第二翹曲調控層包括交替層疊的第一Si摻GaN層和Si摻AlGaN層,所述第三翹曲調控層包括依次層疊于所述N型GaN層上的Si摻AlInGaN層和超晶格層,所述超晶格層包括交替層疊的第二Si摻GaN層和InGaN層。實施本發明,可提升Micro-LED的發光效率和波長均勻性。
京東方科技集團股份有限公司、北京京東方技術開發有限公司申請一項名為“Micro LED顯示基板及其制作方法、顯示裝置”的專利,公開號CN120113372A,該專利公開提供了一種Micro LED顯示基板及其制作方法、顯示裝置,Micro LED顯示基板包括:驅動背板、多個Micro LED結構和多個色轉換結構。其中,多個Micro LED結構間隔設置于驅動背板之上,且與驅動背板電連接;各Micro LED結構用于出射相同顏色的光線。一個色轉換結構與一個Micro LED結構相對應,各色轉換結構位于對應的Micro LED結構背離驅動背板的一側,用于將對應的Micro LED結構出射的光線轉換為設定顏色的光線,從而實現全彩圖像的顯示。
鐳昱光電科技(蘇州)有限公司申請一項名為“Micro-LED顯示芯片、顯示裝置和制備方法”的專利,公開號CN120112035A,本申請實施例公開了一種Micro-LED顯示芯片、顯示裝置和制備方法,Micro-LED顯示芯片包括了驅動面板、多個LED單元、多個柵格結構和波長轉換層,而波長轉換層背離于LED單元的一側形成有粗糙層,基于此通過粗糙層的設置可以使Micro-LED顯示芯片具備更大的出光表面積,進而可以改變光的出射方向,減少光子在界面處發生全反射,增加光子透過率,從而達到提升量子效率的目的,通過提高光子透過率可以提升Micro-LED顯示芯片的顯示亮度和色彩飽和度。