近日，無錫先為科技有限公司宣布，其首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設備正式發往國內頭部的化合物半導體企業。這一成果標志著先為科技在化合物半導體外延設備領域取得了重大突破，也為國內半導體產業的自主發展注入了新的動力。​

    先為科技成立于 2020 年 12 月 25 日，是先導集團在半導體產業布局的關鍵企業。公司專注于化合物半導體外延設備的研發、制造與銷售，依托先導集團在高端裝備制造領域的深厚積累，致力于為全球客戶提供高端化合物半導體外延設備與服務。目前，先為科技擁有正向研發且知識產權自主可控的 GaN MOCVD 外延設備、SiC Epi 外延設備，廣泛應用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片及碳化硅功率芯片的生產制造，各項性能均達到行業領先水平。​

    此次發貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設備是先為科技的創新之作，運用了特有的溫場和流場設計，能夠實現高質量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片的 GaN 外延制造提供堅實保障。該設備不僅在成膜質量上表現出色，還能夠大幅提升生產效率，同時有效降低使用成本，為客戶提供了優異的 GaN 外延加工解決方案。​

    隨著 AI、服務器電源、人形機器人等新興應用領域的爆發式增長，市場對高性能硅基氮化鎵功率芯片的需求激增。GaN MOCVD 外延設備作為化合物半導體產業鏈的核心裝備，長期被國外企業壟斷。先為科技國產設備的成功推出，為國內乃至全球客戶提供了新的設備選擇，增強了化合物半導體產業鏈的韌性和安全性，推動了國內化合物半導體產業向更健康、更自主的方向發展。​

    先為科技表示，未來將繼續加大研發投入，不斷提升技術創新能力，致力于成為全球領先的化合物半導體外延設備供應商。公司的發展愿景是打破國外技術壁壘，實現高端半導體設備的完全國產化替代，助力國內半導體產業構建自主可控、安全高效的產業鏈體系，以創新驅動行業變革，為全球半導體產業發展貢獻中國智慧與力量。